第131章 十倍精度光刻 (第2/2页)

，而且这玩意儿用的是i线365nm的光源啊！

    华为利用SAQP技术实现4倍精度的光刻，这其中有多困难，只有做过才知道。

    而且良率从几乎没法看到现在的渐渐提高，也经历了非常漫长的时间――说白了，这玩意是实在没办法了才去搞的。

    如果国内有EUV，何至于费这么大的劲！

    “10倍精度！22nm！”杨工程师确认道。

    “你们用的什么方法？”于东没有怀疑杨工骗他，这东西就在这儿，骗他没有任何意义，纪弘想跟他谈什么，也不差这一点筹码。

    “最简单的方法。”杨工程师也是认真的回复道：“就是把需要光刻的图分到多个掩膜版上，然后一遍一遍的重复光刻-刻蚀-光刻-刻蚀……就这样。”

    “这……”这种方法于东当然知道，就是最原始的方法。

    但是精度怎么控制啊？这东西在所有的工艺节点上，量产工艺，就没有做过双重以上的，最多就是双重。

    理论倒是非常简单，但做起来那是非常的困难。

    不仅是工件台的移动精度问题，有非常多的问题需要解决。

    稍微对不准一点，一重一重的累积下来就会是天文数字，最终导致全盘都失败。

    换句话说，你动一下都需要保持nm级别的精度，既然有这个技术，直接去改造光刻机都比这个更容易。

    “来，看看我们的历程吧。”没等杨工回答，纪弘引着于东来看这几天产线在做什么。

    “与传统提升工艺的过程不同，”纪弘介绍道：“类思维AI在这里发挥了巨大的作用。

    “刻-刻蚀-光刻-刻蚀，也就是LELE这种双重曝光技术之所以引起套刻误差，不能四重甚至更多重的LELELELLE，是因为精度不好把握。

    “但，对于我们来说，这反倒是最简单的。对准嘛，机械重复就好了，一次不行那就多来几次。”

    这个过程困难吗？

    对于一般的产线来说，非常困难。

    因为误差有多少，不下产线去检测就不可能知道。

    一次光刻之后，按程序移动，然后二次光刻，所有流程结束了，上检测线了，上封测线了，才能知道哪儿出了问题，良率多少，是不是能够满足量产需求。

    不能的话，去调整，重复上述过程，直到满足需求。

    但宏图微电子这儿呢？就好像里边住了个人。

    机台动了一下，光刻尚未进行：“我对准了没？”

    “好像还差一点。”

    “现在呢？”

    “往右一点。”

    “这会儿呢？”

    “往左一点。”

    “现在呢？这回总可以了吧？”

    “嗯！刻吧！”

    这一刻，精准无比，别说刻三次五次，哪怕十次更多次，只要计算好了，那也完全都没有问题。

    当然，真正的过程不可能是描述的这个样子，但如果拟人化的话，大概是这么个意思。

    这就叫做精度不够，“微调”来凑。一步不到位，咱慢慢调。

    当然，这个慢也是相对的――如果传感数据计算好了，由人来判断和调整，那是真叫慢――光电所的超爆光刻机所面临的就是这个问题。

    但这个时候判断是否对准以及做出决策的，是类思维AI工业模型结合机器视觉以及维纳传感，这速度立即就上去了。

    ……

    而于东看着这几天的数据，人有些麻。

    这东西还不是一天成型的，从数据中可以明显看出，第一天的时候，双重曝光都还有些费劲，效果很不理想。

    但成长贼快――随着一次又一次的尝试，一次又一次的训练，这套系统是越来越强，直到今天自己看到的这样一种十倍精度光刻的效果。

    而这说起来还要多亏了王华新院士这个【微纳制造与智能传感技术】国内顶尖专家，如若不然，还真不一定能够达到现在的这种训练效果。